MS5510模数转换器

     MS5510模数转换器 是 8bit、20MSPS 模数转换器，同时使用一个半闪速结构。MS5510 工作在 5V 的电源电压下，其典型功耗只有130mW。MS5510 包括一个内部的采样保持电路、具有高阻抗方式的并行输出口以及内部基准电阻。
      与闪速转换器相比，半闪速结构减少了功耗和芯片尺寸。通过在 2 步过程中实现转换，可以大大减少比较器的数目。转换数据的等待时间为 2.5 个时钟。
      MS5510 有两种工作模式。模式一，使用 3 个内部基准电阻连接 VDDA，可产生标准的 2V 满度转换范围。实现此选项仅需外部跳线器。模式二，通过内部电阻区，产生标准的 4V 满度转换范围，这减少了对外部基准或电阻器的需求。差分线性度在25°C 下为 0.5LSB，在整个工作温度范围内的最大值是 0.75LSB。典型的动态特性包括差分增益 1%和差分相位 0.7°。MS5510 的工作温度范围是-20°C 至75°C。

MS5510模数转换器主要特点
◼ 模拟信号输入范围：模式一：最大 2V ；模式二：最大 4V 
◼ 分辨率：8bit
◼ 积分线性误差：±0.75 LSB (25°C)；±1 LSB (-20°C-75°C)
◼ 微分线性误差：±0.5 LSB (25°C)；±0.75 LSB (-20°C-75°C)
◼ 最快转换频率：20MSPS
◼ 5V 单电源工作
◼ 低功耗：模式一：127.5mW ；模式二：150mW 
MS5510模数转换器的应用
◼ 数字电视
◼ 多媒体图像处理
◼ 视频会议
◼ 高速数据转换
◼ 正交调制解调器

     芯片使用中，任何超过极限参数的应用方式会对器件造成永久的损坏，芯片长时间处于极限工作状态可能会影响器件的可靠性。极限参数只是由一系列极端测试得出，并不代表芯片可以正常工作在此极限条件下。
     MS5510 是具有两个低位比较器块的半闪速 ADC（每四位一个比较器）。如下图所示，在 CLK1 的下降沿，输入电压 VI(1)被采样，进入高位比较器块和低位比较器块(A)，S(I)。在 CLK2 上升沿，高位比较器块确定高位数据 UD(1)，同时，低基准电压产生与高位数据相对应的电压 RV(1)。在 CLK3 上升沿，低位比较器块(A)确定低位数据 LD(1)。在 CLK4 的上升沿，UD(1)和 LD(1)组合在一起并输出为 OUT(1)。根据上面所述的内部操作，输出数据滞后模拟输入电压采样点 2.5 个时钟。在 CLK2 下降沿，输入电压VI(2)被采样。在 CLK3 的上升沿，最后确定 UD(2)。在 CLK4 的上升沿，LD(2)最后由低位比较器块(B)确定。OUT(2)在 CLK5 上升沿输出。
工作模式
MS5510 具有三个内部电阻，以便能产生内部基准电压。这些电阻连接到 VDDA、REFTS、 REFT、REFB、REFBS 以及 AGND。模拟输入电压范围为 4V，REFT 接 4V 电压，REFB 接地，其它端口如下图所示连接。通过一个 0 到4V 的 ANALOG IN 信号，这种连接为数字输出提供 4V 基准电压。
 MS5510 的设计推荐项
     为了减少系统噪声，外部模拟和数字电路应当分离和屏蔽。在整个评估和生产过程中，应当使用射频试验板或印制电路板技术。 用于测试评估的试验板应当镀铜。
     因为 AGND 和 DGND 在内部未连接，所以这些引脚需要在外部进行连接。采用试验板时，这些地线应当通过具有良好电源旁路的单独引线连接。为了使拾取的噪声最小，电源线最好使用双铰线电缆。在印制电路板布局上应使用模拟和数字地平面。
     VDDA 至 AGND 和 VDDD 至 DGND 应当分别使用 0.1μF 去耦电容，且去耦电容应当尽可能靠近引脚处。对于模拟和数字地，为了确保无固态噪声的接地连接，试验时应当小心。VDDA、AGND 以及 ANALOG IN 引脚应当与高频引脚 CLK 和 D0-D7 隔离开来。有可能的话，在印制电路板上，AGND 走线应当放在 ANALOG IN 走线的两侧以屏蔽。
     当测试与使用器件时，在频率范围内，连接到模拟输入端的驱动源电阻应当是 10Ω 或更小。