第三代半导体产业链拐点将至

       在海外对国内半导体产业发展日益严格的限制下，举国体制强化国家战略科技力量，有望为国内半导体行业发展注入强劲动能，半导体领域的国产替代有望在国家的大力支持下快速发展。

      第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，待成本下降有望实现全面替代。
       与硅基MOSFET、IGBT相比，SiCMOSFET在开关效率、损耗、尺寸、频率、体积等指标上都更具有优势。相同规格SiCMOSFET和Si MOSFET相比，体积甚至能够缩小1/10，导通电阻缩至1/200，相同规格SiC-MOSFET和Si-IGBT相比，能量损失小于1/4。在SiC产品性能占据全面优势的背景下，以国内外传统功率大厂为主的各家企业均开始加速布局SiC产品，国内外市场将迎来群雄并起的市场格局。
      目前，虽然国外企业在技术、产能等方面具有先发优势，但SiC行业发展历史相对较短，国内外差距相对较小，在需求高涨的背景下，国内企业有望加速实现国产替代。

       海外龙头企业具备先发优势，在产品及产能方面短期领先于国内。但整体来看，SiC产业发展历史相对较短，国内企业有望实现弯道超车。（来源：每日经济新闻）